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首頁進(jìn)口晶振 ILSI晶振ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHz晶振

ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHz晶振

產(chǎn)品型號：18058180
頻率：32.768KHZ
尺寸：1.6*1.0mm
產(chǎn)品介紹：ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHz晶振,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振...

ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHz晶振,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.
ILSI America成立于1987年，總部位于加州科斯塔梅薩。當(dāng)時的商業(yè)模式很簡單，成為晶體和時鐘振蕩器的供應(yīng)商，以支持北美頻率控制市場。
在隨后的29年中，隨著全球頻率控制產(chǎn)品市場需求呈指數(shù)級增長和全球化，ILSI通過有機(jī)增長和收購應(yīng)對不斷變化的市場和客戶群。
1995年，ILSI北京中國辦事處開業(yè)。1998年，ILSI美國公司搬遷到它現(xiàn)在的位置，這是一個位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年，ILSI香港中海物流中心開業(yè)。2007年ILSI韓國辦事處的開業(yè)完成了我們在美國和亞洲提供真正實體店的目標(biāo)，這些實體由直接員工提供，以支持我們在北美，墨西哥，亞洲和歐洲快速增長的客戶群。
2013年，ILSI收購了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購使我們現(xiàn)有的全球頻率控制打印位置和活躍的客戶群翻了一番。ILSI收購MMD的行為不會中斷我們的客戶供應(yīng)鏈。ILSI現(xiàn)在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷售水平顯著提高，因此2013年需要開設(shè)兩個新的區(qū)域銷售辦事處，負(fù)責(zé)處理洛杉磯，加利福尼亞州，加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區(qū)。
ILSI晶振成立于1987年,總部位于加州科斯塔梅薩,是一家全球頻率控制解決方案提供商,并在1995年ILSI Crystal在北京中國辦事處開業(yè).給市場上提供ILSI貼片晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器等元件.ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHz晶振.

Frequency	32.768 KHz
ESR (Equivalent Series Resistance)	90,000 Ohms Maximum
Shunt Capacitance (C0)	2.0pF Maximum
Motional Capacitance (Cl)	6.5 fF Typ.
Frequency Tolerance @ 25ºC ±5ºC ±	±20 ppm Maximum
Frequency Stability over Temperature	Parabolic -0.045 ppm / ºC2 Typ. Turnover point +25º ±5ºC (See Graph Below)
Crystal Cut	X-Cut
Load Capacitance	12.5 pF (See Table Below)
Drive Level	0.1µWatt Typical, 0.5µWatt Maximum
Aging ±	±3ppm/year Maximum
Operating	-40ºC to +85ºC Standard
Storage	-55ºC to +125ºC Standard

自動安裝時的沖擊：
石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振(陶瓷晶振)和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHz晶振.

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