常見(jiàn)問(wèn)題

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首頁(yè)進(jìn)口晶振 SMI晶振SMI晶振,212SMX晶振,超小型晶振

SMI晶振,212SMX晶振,超小型晶振

產(chǎn)品型號(hào)：9220632
頻率：32.768KHZ
尺寸：2.0*1.2mm
產(chǎn)品介紹：SMI晶振,212SMX晶振,超小型晶振,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)...

SMI晶振,212SMX晶振,超小型晶振,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
SMI是Crystal Technology的新興領(lǐng)導(dǎo)者。我們積極為電子社會(huì)做出貢獻(xiàn)，在穩(wěn)步的研究和努力的基礎(chǔ)上，快速開(kāi)發(fā)先進(jìn)的水晶產(chǎn)品。
我們專注于最新的SMD版本的晶體單元，時(shí)鐘OSC，TCXO，VCXO，OCXO和MCF。并提供高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的產(chǎn)品，支持高可靠性數(shù)據(jù)，頻率范圍從16.000kHz（低）到350.000MHz（高），嚴(yán)格的質(zhì)量控制和嚴(yán)格的運(yùn)輸檢查。
除了SMD版本，我們還可以提供通孔型產(chǎn)品。
SMI晶振是日本一家生產(chǎn)制造規(guī)模比較大一家電子元件工廠,長(zhǎng)期采購(gòu)SMI石英晶體的企業(yè)有上千家,日本SMI晶振在國(guó)際市場(chǎng)上的份額占有率真不算高,SMI晶振公司自成立以來(lái)便專注研發(fā)生產(chǎn)高品質(zhì),高精度的晶振產(chǎn)品,專業(yè)向市場(chǎng)供應(yīng)大量OSC差分晶振,TCXO溫補(bǔ)晶振,VCXO壓控晶振等元件,憑借著注重質(zhì)量與服務(wù),贏得廣大用戶的喜愛(ài),SMI晶振如今在業(yè)界已是小有名氣的企業(yè).SMI晶振,212SMX晶振,超小型晶振.

Item	Symbol	Specifications
Part number	P/N	212M327*
Package Type		212SMX
Nominal frequency	F	32.768 kHz
Frequency tolerance (at +25゜C)	△f/F	AA : ±10 ppm A : ±15 ppm B :±20 ppm C : ±30 ppm (Standard)
Load capacitance	CL	12.5 pF: 212M327 (Standard) 9.0 pF: 212M327-9 7.0 pF: 212M327-7
Equivalent series resistance	ESR	90k Ω max. (To : -40゜C to +85゜C)
Drive level	P	0.1 μW (0.5 μW fox max.)
Turnover temperature	Tt	+25゜C ±5゜C
Temperature coefficient	β	-0.034 ppm / ゜C 2 , Typical
Quality factor	Q	20000 min.
Shunt capacitance	C0	1.2 pF, Typical
Motional capacitance	C1	0.003 pF, Typical
Capacitance ratio	Y	400, Typical
Aging (for first year)	△f/F	±3 ppm max. at +25゜C ±3゜C
Insulation resistance	Ri	500 MΩ min. at 100V DC ±15V
Cut		XY-Cut
Operating temperature range	To	-40゜C to +85゜C
Storage temperature range	Ts	-55゜C to +125゜C
Shock resistance	△f/F	±5 ppm max.
Vibration resistance	△f/F	±5 ppm max.
IR reflow resistance	△f/F	±10 ppm max.
Reflow condition		10 seconds max. at +250゜C ±10゜C(2 times)

存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。SMI晶振,212SMX晶振,超小型晶振.

1、技術(shù)支持：全方位技術(shù)指導(dǎo),專業(yè)的技術(shù)支持讓您感受到前所未有的后顧無(wú)憂.
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