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常見問題
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晶體MC-30AY,32.768KHZ陶瓷面晶振,傳感器晶振因32.768KHZ晶體本身外觀款式多元化,“MC-30AY 32.7680K-A3: PURE SN”所以適合多個(gè)產(chǎn)品應(yīng)用.并且滿足歐盟ROHS環(huán)保要求,晶體本身有重量輕,體積小,超薄型等多種優(yōu)勢,得到市場認(rèn)可.
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項(xiàng)目 | 記 號(hào) | MC-30AY | 條 件 |
頻率 | f_nom | 20~100KHZ | |
電壓 | ppm | 10ppm 20ppm或指定 | |
頂點(diǎn)溫度 | Ti | +25±5°C | |
二級溫度系數(shù) | B | (−3.5±1.0)x10−8/°C2 | |
負(fù)載容量 | CL | 7.0pF/9.0pF/12.5pF | |
串聯(lián)電阻 | R1 | 65kÙ 最大值 | |
絕對最大激勵(lì)等級 | DLmax. | 1μW | |
推薦激勵(lì)等級 | DL | 0.1μW | |
并聯(lián)電容 | C0 | 0.8pF 典型值 | |
頻率老化程度 | f_age | ±3x10-6 | +25±3°C,第一年 |
工作溫度范圍 | T_use | -20°C~+70°C | |
保存溫度范圍 | T_stg | -55°C~+125°C | 單件保管一年 |
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一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶體阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時(shí)的晶體的電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:
(1)線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶體的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測定值.如果晶體的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶體具有較低負(fù)載電容(CL). 采用具有較低電阻(RR)的晶體.使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.



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