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0755-27876201
常見(jiàn)問(wèn)題
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- 產(chǎn)品型號(hào)：42047257
- 頻率：32.768KHZ
- 尺寸：3.2*1.5mm
- 產(chǎn)品介紹：晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求
-
微晶晶振,32.768KHZ,CC7V-T1A晶振
微晶晶振,32.768KHZ,CC7V-T1A晶振，32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn),此音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線(xiàn)，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線(xiàn)對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。
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| 微晶晶振規(guī)格 | 單位 | CC7V-T1A晶振頻率范圍 | 石英晶振基本條件 |
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 32.768KHZ | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -55°C ～ +125°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -40°C ～ +85°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
| 激勵(lì)功率 | DL | 200μW Max. | 推薦:1μW ～ 100μW |
| 頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.fengxong.cn |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 負(fù)載電容 | CL | 7pF ～ ∞ | 超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
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使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
晶振/石英晶體諧振器
激勵(lì)功率
在晶振上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率。
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加。
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容。微晶晶振,32.768KHZ,CC7V-T1A晶振
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