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差分晶振SG7050EBN,低相位抖動晶振,路由器晶振.“SG7050EBN 100.000000M-DJGA3”,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.
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差分晶振SG7050EBN,低相位抖動晶振,路由器晶振.“SG7050EBN 100.000000M-DJGA3”經(jīng)過我司專業(yè)的工程師測試,裸存時儲存溫度可達(dá)-40~+125℃.愛普生集團(tuán)根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備市場需求,研發(fā)了該系列差分晶振.推出市場后迅速得到了市場許可.滿足了:網(wǎng)卡、集線器、交換機、繼器、網(wǎng)橋、路由器、網(wǎng)關(guān)等設(shè)備的市場需求.同時得到了全球多家上市企業(yè)的贊賞.
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項目 | 記 號 | SG7050EBN | 條 件 |
頻率 | f_nom | 100~175MHZ | |
電壓 | V | 1.8 2.5 3.3或指定 | |
頂點溫度 | Ti | +25±5°C | |
二級溫度系數(shù) | B | (−3.5±1.0)x10−8/°C2 | |
負(fù)載容量 | CL | 7.0pF/9.0pF/12.5pF | |
串聯(lián)電阻 | R1 | 65kÙ 最大值 | |
絕對最大激勵等級 | DLmax. | 1μW | |
推薦激勵等級 | DL | 0.1μW | |
并聯(lián)電容 | C0 | 0.8pF 典型值 | |
頻率老化程度 | f_age | ±3x10-6 | +25±3°C,第一年 |
工作溫度范圍 | T_use | -20°C~+70°C | |
保存溫度范圍 | T_stg | -55°C~+125°C | 單件保管一年 |
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“SG7050EBN 100.000000M-DJGA3”,所有產(chǎn)品的共同點:
1:抗沖擊
抗沖擊是指產(chǎn)品晶體可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種晶體產(chǎn)品,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.

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