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首頁(yè)進(jìn)口晶振Golledge晶振,貼片晶振,CM8V晶振

Golledge晶振,貼片晶振,CM8V晶振

產(chǎn)品型號(hào)：8424719
頻率：32.768KHZ
尺寸：2.0*1.2mm
產(chǎn)品介紹：32.768KHz千赫子時(shí)鐘晶體,其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品,或者是控制模塊,主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào),其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品.

Golledge晶振,貼片晶振,CM8V晶振,32.768KHz千赫子時(shí)鐘晶體,其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品,或者是控制模塊,主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào),其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

高利奇晶振規(guī)格	單位	CM8V晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C～+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C～+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.fengxong.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF ～ ∞	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
晶振/石英晶體諧振器
激勵(lì)功率
在晶振上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率。
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加。
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容。Golledge晶振,貼片晶振,CM8V晶振

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