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常見問題
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愛普生晶振,超小型晶振,FA2016AA晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性.
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等
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項(xiàng)目 | 記 號 | FA2016AA | 條 件 |
頻率 | f_nom | 12~54MHZ | |
電壓 | ppm | 10ppm 20ppm或指定 | |
頂點(diǎn)溫度 | Ti | +25±5°C | |
二級溫度系數(shù) | B | (−3.5±1.0)x10−8/°C2 | |
負(fù)載容量 | CL | 7.0pF/9.0pF/12.5pF | |
串聯(lián)電阻 | R1 | 65kÙ 最大值 | |
絕對最大激勵(lì)等級 | DLmax. | 1μW | |
推薦激勵(lì)等級 | DL | 0.1μW | |
并聯(lián)電容 | C0 | 0.8pF 典型值 | |
頻率老化程度 | f_age | ±3x10-6 | +25±3°C,第一年 |
工作溫度范圍 | T_use | -40°C~+125°C | |
保存溫度范圍 | T_stg | -40°C~+125°C | 單件保管一年 |
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關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片,以及相對而言頻率與超音波清潔器相近,所以會(huì)由于共振而容易受到破壞,因此請不要用超音波清潔器來沖洗晶振。 關(guān)于機(jī)械性沖擊
(1) 從設(shè)計(jì)角度而言,即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次,按照設(shè)計(jì)不會(huì)發(fā)生什么問題,但因落下時(shí)的不同條件而異,有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時(shí),在使用之前,建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。
(2) SMD晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同,由于在內(nèi)部對石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù),因此關(guān)于在自動(dòng)安裝時(shí)由于沖擊而導(dǎo)致的影響,請?jiān)谑褂弥?,懇請貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。(3) 請盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動(dòng)源(包括超聲波振動(dòng)源)安裝到同一塊基板上,不得已要安裝到同一塊基板上時(shí),請確保晶振能正常工作

愛普生株式會(huì)社EPSON晶振通過追求以QMEMS 技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來推動(dòng)具有領(lǐng)先性的環(huán)?;顒?dòng),把降低 環(huán)境負(fù)荷作為一種顧客價(jià)值提供給顧客。
創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768KHZ晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品;并且構(gòu)筑和革新既可以降低 環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動(dòng)。
愛普生株式會(huì)社EPSON晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基準(zhǔn),通過持續(xù)性的展開環(huán)?;顒?dòng)來預(yù)防污染。
在設(shè)定環(huán)保目的與目標(biāo)展開活動(dòng)的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動(dòng)的水平。
愛普生株式會(huì)社EPSON晶振通過與地區(qū)的交流及社會(huì)貢獻(xiàn)活動(dòng),為地區(qū)的環(huán)保做貢獻(xiàn)


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