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愛普生晶振,無(wú)源晶振,FA2016AS晶振,“FA2016AS19.2000MF12Y-AG3”,2016mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無(wú)線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無(wú)鉛.
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
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項(xiàng)目 | 記 號(hào) | FA2016AS | 條 件 |
頻率 | f_nom | 16~54MHZ | |
電壓 | ppm | 10ppm 20ppm或指定 | |
頂點(diǎn)溫度 | Ti | +25±5°C | |
二級(jí)溫度系數(shù) | B | (−3.5±1.0)x10−8/°C2 | |
負(fù)載容量 | CL | 7.0pF/9.0pF/12.5pF | |
串聯(lián)電阻 | R1 | 65kÙ 最大值 | |
絕對(duì)最大激勵(lì)等級(jí) | DLmax. | 1μW | |
推薦激勵(lì)等級(jí) | DL | 0.1μW | |
并聯(lián)電容 | C0 | 0.8pF 典型值 | |
頻率老化程度 | f_age | ±3x10-6 | +25±3°C,第一年 |
工作溫度范圍 | T_use | -40°C~+85°C | |
保存溫度范圍 | T_stg | -40°C~+125°C | 單件保管一年 |
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“FA2016AS19.2000MF12Y-AG3”,如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加石英晶振的電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為石英晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后,諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過以下三種方法改進(jìn):
方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過晶體具有較低負(fù)載電容(CL)。
方法2:采用小電阻(RR)的晶體。
方法3:使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。
我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本,保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說(shuō)明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格,請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會(huì)偏差很大。愛普生晶振,無(wú)源晶振,FA2016AS晶振

愛普生晶振公司的目標(biāo)是保證產(chǎn)品繼續(xù)滿足客戶要求的同時(shí)對(duì)環(huán)境的影響降到最小,在生產(chǎn)過程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實(shí)現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進(jìn)。
承諾保護(hù)環(huán)境,重視員工、客戶和公眾的健康和安全。我們從事任何活動(dòng),都要以注重安全和環(huán)保方式,并考慮到生態(tài)系統(tǒng)的復(fù)雜性和相關(guān)性。
建立目標(biāo)指標(biāo)、監(jiān)測(cè)程序,利用最好的管理手段,應(yīng)用節(jié)約成本的技術(shù),持續(xù)改進(jìn)我們的環(huán)境表現(xiàn)。我們承諾采取積極的、預(yù)防性的戰(zhàn)略管理來(lái)對(duì)自然環(huán)境和地方社區(qū)的影響最小化


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