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      維管晶振,貼片晶振,VXM8晶振

    • 產(chǎn)品型號(hào):38497067
    • 頻率:14~60MHZ
    • 尺寸:2.5*2.0mm
    • 產(chǎn)品介紹:小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,...
    • RoHS RoHS2


      維管晶振,貼片晶振,VXM8晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,
      超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

    Vectron晶振規(guī)格 單位 VXM8貼片晶振頻率范圍 石英晶振基本條件
    標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 14.00MHZ~60.0MHZ 標(biāo)準(zhǔn)頻率
    儲(chǔ)存溫度 T_stg -40°C ~ +90°C 裸存
    工作溫度 T_use -40°C ~ +85°C 標(biāo)準(zhǔn)溫度
    激勵(lì)功率 DL 200μW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
    頻率公差 f_— l ±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
    (±15 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用)
    +25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.fengxong.cn
    頻率溫度特征 f_tem ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
    負(fù)載電容 CL 8pF ,10PF,12PF,20PF 不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
    串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
    頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年




    所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
    1:抗沖擊
      抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。
    2:輻射
      將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射。
    3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
      請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶體諧振器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
    4:粘合劑
      請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
    5:鹵化合物
      請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
    6:靜電
      過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。維管晶振,貼片晶振,VXM8晶振

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