標(biāo)稱頻率晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率,通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上, 工作頻率晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率, 調(diào)整頻差在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差, 溫度頻差在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差, 老化率在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化,以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率, 靜電容等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示, 負(fù)載電容與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示, 負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF, 只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF, 負(fù)載諧振頻率在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率,在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí),負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè),在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí),則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè), 動(dòng)態(tài)電阻串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻,用R1表示, 負(fù)載諧振電阻在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻,用RL表示, RL=R1（1+C0/CL）2 激勵(lì)電平晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值, 激勵(lì)電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等基頻在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率, 泛音晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波,泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別,泛音振動(dòng)有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等,

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