我們的高性能頻率控制器件已運(yùn)行近65年，專為1Hz至1GHz的苛刻應(yīng)用而設(shè)計(jì)。所有Greenray振蕩器產(chǎn)品均在我們位于賓夕法尼亞州Mechanicsburg的工廠設(shè)計(jì)、組裝和測(cè)試。我們的質(zhì)量管理體系通過了ISO 9001:2015 + AS9100D標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。該標(biāo)準(zhǔn)包括罡O 9001:2015對(duì)航空航天有額外的行業(yè)特定要求。該標(biāo)準(zhǔn)比ISO 9001:20015標(biāo)準(zhǔn)更為嚴(yán)格，是國(guó)防和航空航天工業(yè)所必需的，為我們?cè)O(shè)計(jì)和制造的產(chǎn)品質(zhì)量提供了更高的信心。

我們的產(chǎn)品能力：OCXOs，TCXOs，VCXOs，時(shí)鐘振蕩器

我們的工程重點(diǎn)：緊密穩(wěn)定性，低相位噪聲，高沖擊和振動(dòng)，低g敏感度

Greenray OCXOs提供各種封裝，從小型DIP和SMT到更大的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸。我們提供從1MHz到200MHz的廣泛頻率范圍，以滿足您的特定要求。

利用獨(dú)特的設(shè)計(jì)技術(shù)，Greenray OCXO有源晶振專注于低相位噪聲和溫度范圍內(nèi)的嚴(yán)格頻率穩(wěn)定性，并為國(guó)防和通信應(yīng)用提供出色的長(zhǎng)期特性。

恒溫控制晶體振蕩器（通常稱為OCXO）通過將石英晶體諧振器置于其自身穩(wěn)定的恒溫箱中來實(shí)現(xiàn)參考頻率穩(wěn)定性。

通過在應(yīng)用的環(huán)境溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的內(nèi)部溫度，OCXO提供了非常穩(wěn)定的頻率源。

不同于溫度補(bǔ)償晶體振蕩器-“tcxo”-OCXO烘箱溫度設(shè)置為高于最高工作環(huán)境溫度的溫度以保持溫度控制，通常通過使用熱敏電阻溫度傳感器。建立適當(dāng)?shù)暮嫦錅囟群?，晶體將被指定具有一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)，在該轉(zhuǎn)折點(diǎn)處，傳感器在烘箱中檢測(cè)到的溫度下頻率與溫度的斜率接近零。

OCXO通常包括一個(gè)或多個(gè)加熱元件，并且因?yàn)殡娐分械钠渌娮釉踩菀灼?，整個(gè)振蕩器電路都裝在烤箱內(nèi)。閉環(huán)電路中的熱敏電阻溫度傳感器是控制加熱器電源和精確控制烤箱溫度的最常用方法。因?yàn)榭鞠湓谡麄€(gè)工作溫度范圍以上工作，OCXOs需要一段預(yù)熱時(shí)間通電后。在預(yù)熱過程中，由于設(shè)備從室溫加熱到更高的內(nèi)部烤箱溫度，因此需要更多的功率。預(yù)熱期間頻率會(huì)發(fā)生漂移，直到OCXO達(dá)到設(shè)定的工作溫度。對(duì)于商業(yè)/工業(yè)應(yīng)用，OCXO烘箱溫度通常設(shè)置為75°C至80°C，但可以指定更高和/或更寬的范圍（例如90°C至》100°C）。

OCXOs可以使用普通的AT切割或SC切割（應(yīng)力補(bǔ)償）石英晶振。首次開發(fā)于1974年，SC切割晶體OCXOs更適合升高的工作溫度提供低相位噪聲和更好的老化性能特點(diǎn)。

OCXO的短期頻率穩(wěn)定性通常為1×10-11幾秒鐘后大約5 x 10-10每天。長(zhǎng)期的OCXO老化通常通過100%測(cè)試進(jìn)行評(píng)估在一段時(shí)間內(nèi)。

總之，OCXOs具有以下優(yōu)勢(shì)低相位噪聲、嚴(yán)格的頻率和溫度穩(wěn)定性和優(yōu)異的長(zhǎng)期老化性能特別是當(dāng)使用SC切割晶體時(shí)。
以下是我們OCXO產(chǎn)品線的示例

MODEL	PACKAGE (mm)	FREQUENCY RANGE (MHz)	TEMP STABILITY (ppm)	OUTPUT
YH1300	20.3 x 12.7	10 - 50	±0.2	CMOS, Sinewave
YH1310	36.1 x 26.9	10 - 100	±0.2	Sinewave
YH1311	36.1 x 26.9	10 - 100	±0.2	CMOS
YH1320	50.8 x 50.8	10 - 120	±0.01	HCMOS
YH1321	50.8 x 50.8	10 - 120	±0.01	Sinewave
YH1322	50.8 x 50.8	10 - 120	±0.01	Sinewave
YH1420	20.3 x 12.7	10 - 100	±0.1	CMOS
YH1421	20.3 x 12.7	10 - 100	±0.1	Sinewave
YH1440	25.4 x 22.1	10 - 100	±0.1	ACMOS
YH1441	25.4 x 22.1	10 - 100	±0.1	Sinewave
YH1460	25.4 x 25.4	10 - 100	±0.01	Sinewave
YH1461	25.4 x 25.4	10 - 100	±0.01	ACMOS
YH1485	25.4 x 25.4	10 - 100	±0.1	Sinewave

Greenray TCXOs設(shè)計(jì)用于通信、儀器儀表和國(guó)防應(yīng)用。我們的TCXOs具有1ppm或更低的溫度穩(wěn)定性，提供多種封裝，包括SMT，工作頻率范圍為20 KHz至1 GHz。

我們合并了前沿設(shè)計(jì)和創(chuàng)新制造技術(shù)生產(chǎn)非常堅(jiān)固的TCXO晶振，非常適合移動(dòng)和空中應(yīng)用。我們的TCXOs具有緊密的穩(wěn)定性、低相位噪聲和超低g靈敏度。

了解TCXO，所有未補(bǔ)償?shù)氖⒕w振蕩器都會(huì)經(jīng)歷根據(jù)石英晶體的特性進(jìn)行漂移。頻率基準(zhǔn)的漂移量通常在10至50ppm范圍內(nèi)，具體取決于各晶體的特性。溫度補(bǔ)償晶體振蕩器或稱“TCXOs”，通常用于需要更穩(wěn)定頻率基準(zhǔn)的應(yīng)用，其分辨率通常優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)的無補(bǔ)償石英晶體振蕩器。

TCXOs在客戶要求的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行補(bǔ)償，達(dá)到特定應(yīng)用所需的特定頻率穩(wěn)定性。例如，在-40°C至+85°C的工業(yè)工作溫度范圍內(nèi)，TCXOs可以補(bǔ)償至小于1ppm。

溫度補(bǔ)償晶體振蕩器。方法

多年來使用了各種補(bǔ)償方法，包括：

1.熱敏電阻/電阻網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償-熱敏電阻/電阻補(bǔ)償利用一個(gè)或多個(gè)熱敏電阻網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的校正電壓來消除頻率隨溫度的變化。早在1961年，補(bǔ)償比就超過了100:1，即在整個(gè)溫度范圍內(nèi)峰峰值偏差為50ppm的晶體可以被補(bǔ)償?shù)?.5ppm的水平。50多年來，熱敏電阻/電阻補(bǔ)償型TCXO溫補(bǔ)晶振一直是業(yè)界的主流。

2.數(shù)字溫度補(bǔ)償-到20世紀(jì)70年代末，集成電路技術(shù)的進(jìn)步使得利用模數(shù)轉(zhuǎn)換和固態(tài)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)補(bǔ)償系統(tǒng)變得切實(shí)可行。盡管以今天的標(biāo)準(zhǔn)來看還很粗糙，但性能優(yōu)于0.1ppm的數(shù)字TCXOs是由幾家制造商生產(chǎn)的，包括Rockwell Collins和Greenray Industries。

多年來，其他數(shù)字補(bǔ)償方案也有所發(fā)展，其中許多采用嵌入式計(jì)算能力來促進(jìn)校準(zhǔn)和系統(tǒng)操作。其他公司則采用精密的溫度測(cè)量方案，如雙模晶體、自溫度感應(yīng)，以實(shí)現(xiàn)0.05ppm或更高的溫度穩(wěn)定性。

3.模擬積分-大規(guī)模集成的擴(kuò)展能力使得在單個(gè)IC中集成更多溫度補(bǔ)償所需的功能成為可能。這導(dǎo)致了當(dāng)前一代ASIC的發(fā)展，允許僅用兩個(gè)組件構(gòu)建精密模擬tcxo-ASIC和石英晶體。這些IC使用模擬乘法器來產(chǎn)生一條符合5泰國(guó)(Thailand)要補(bǔ)償?shù)木w的階多項(xiàng)式。在-40°C至+85°C的溫度范圍內(nèi)，穩(wěn)定性優(yōu)于0.2ppm貼片晶振。

雖然第一代制造工藝通常會(huì)導(dǎo)致相對(duì)較大的芯片，但隨著幾何尺寸和IC尺寸的縮小，精密TCXOs現(xiàn)在可以封裝在2mm x 2.5mm的小封裝中。

雖然Greenray Industries使用上述每種補(bǔ)償方法制造溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，但模擬ASIC型TCXOs的數(shù)量超過了所有其他類型。
以下是我們TCXO產(chǎn)品線的示例

MODEL	PACKAGE (mm)	FREQUENCY RANGE (MHz)	TEMP STABILITY (ppm)	OUTPUT
T52	5.0 x 3.2	10 - 52	±0.1	CMOS, Clipped Sine
T56	5.0 x 3.2	10 - 52	±0.1	CMOS, Clipped Sine
T58	5.0 x 3.2	10 - 52	±0.1	CMOS, Clipped Sine
T70	7.0 x 5.0	10 - 50	±0.1	HCMOS
T71	7.0 x 5.0	10 - 50	±0.1	HCMOS
T72	7.0 x 5.0	10 - 50	±0.1	Clipped Sine
T73	7.0 x 5.0	10 - 50	±0.1	Clipped Sine
T79	7.0 x 5.0	10 - 52	±0.1	CMOS, Clipped Sine
T90	9.1 x 7.5	10 - 100	±0.3	HCMOS
T91	9.1 x 7.5	10 - 100	±0.3	HCMOS
T120	22.9 x 17.8	10 - 100	±0.5	CMOS
T121	17.3 x 17.3	50 - 100	±0.5	Sinewave
T124	17.3 x 17.3	650Hz to 5.0MHz	±0.3	CMOS
T1215	9.1 x 7.5	750KHz - 800MHz	±0.3	CMOS, Clipped Sine, LVPECL, LVDS
T1220	20.3 x 12.7	10 - 50	±0.1	CMOS, Clipped Sine
T1237	17.3 X 17.3	76.8 - 120	±0.5	CMOS, Clipped Sine
T1241	17.3 X 17.3	50 - 100	±2.0	CMOS
T1243	22.9 x 17.8	10 - 50	±2.0	CMOS
T1244	14.2 x 9.1	50 - 150	±1.0	LVPECL
T1247	36.1 x 26.9	10 - 50	±0.03	CMOS
T1254	20.3 x 12.7	10 - 50	±1.0	CMOS
T1276	34.8 x 20.2	2.5 - 120	±1.0	CMOS
T1282	17.3 x 17.3	40 - 100	±3.0	CMOS Squarewave
T1300	20.3 x 12.7	10 - 50	±2.0	CMOS
T1307	9.1 x 7.5	10 - 50	±1.0	CMOS, Clipped Sine
T1354	20.3 x 12.7	10 - 100	±1.0	Clipped Sine
ZT600	29.2 x 25.4	10 - 125	±0.5	CMOS
ZT601	29.2 x 25.4	10 - 500	±0.3	Sinewave
ZT610	20.3 x 12.7	10 - 50	±0.5	CMOS

Greenray VCXOs專為通信、儀器和測(cè)試設(shè)備應(yīng)用而設(shè)計(jì)。我們的VCXOs提供多種封裝，包括SMT和薄型DIP。
我們的VCXO和時(shí)鐘振蕩器產(chǎn)品示例如下

MODEL	PACKAGE (mm)	FREQUENCY RANGE (MHz)	TEMP STABILITY (ppm)	OUTPUT
N623	9.1 x 14.2	100	±15.0	Sine
Y1600	20.3 x 12.7	10 - 120	±15.0	HCMOS
Y1631	17.3 x 17.3	60 - 130	±15.0	Sine

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