石英晶體振蕩器(XO)電路是RF系統(tǒng)的關(guān)鍵部件,并且用于在收發(fā)器中產(chǎn)生參考頻率.對(duì)于這些收發(fā)器而言,對(duì)于不同于收發(fā)器所調(diào)諧的頻率的響應(yīng)(雜散響應(yīng))是挑戰(zhàn)性問題之一.XO諧波可以容易地通過多個(gè)路徑耦合至其他RF電路,并且出現(xiàn)在接收器和發(fā)射器輸出端處.與單端結(jié)構(gòu)相比,差分貼片晶振XO電路是期望的,這是因?yàn)獒槍?duì)串?dāng)_和雜散響應(yīng)的更好免疫性.然而,在XO電路中缺乏低阻抗DC路徑使得電路鎖定而不是振蕩.常規(guī)的差分XO電路設(shè)計(jì)已經(jīng)使用了晶體管的已修改交叉耦合配對(duì)的負(fù)跨導(dǎo)(-gm)作為有源晶振器件,并且已經(jīng)添加了高通濾波以避免在低頻鎖定.
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:提供在差分振蕩器電路的輸出端子處產(chǎn)生振蕩頻率.
在一個(gè)實(shí)施例中,公開了一種差分貼片晶振電路.電路包括:第一輸出端子和第二輸出端子;交叉耦合的振蕩單元,包括交叉耦合至第一輸出端子和第二輸出端子的第一和第二晶體管;第一和第二金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)-效應(yīng)晶體管(MOSFET)二極管,每個(gè)MOSFET二極管包括連接在柵極和漏極端子之間的電阻器,其中第一MOSFET二極管耦合至第一晶體管以向第一晶體管提供在低頻的低阻抗負(fù)載和在高頻的高阻抗負(fù)載,其中第二MOSFET二極管耦合至第二晶體管以向第二晶振管提供在低頻的低阻抗負(fù)載和在高頻的高阻抗負(fù)載;以及耦合在第一輸出端子和第二輸出端子之間以建立振蕩頻率的參考諧振器.
在另一實(shí)施例中,公開了一種用于在差分振蕩器電路的輸出端子處產(chǎn)生振蕩頻率的方法.方法包括:使用耦合在輸出端子之間的晶體管和參考諧振器的交叉耦合配對(duì)產(chǎn)生振蕩頻率;以及使用耦合至晶體管的交叉耦合配對(duì)的MOSFET二極管生成在低頻的低阻抗負(fù)載和在高頻的高阻抗負(fù)載,其中MOSFET二極管中的每一個(gè)包括連接在柵極和漏極端子之間的電阻器.
在又一實(shí)施例中,公開了一種用于在差分晶體振蕩器電路的輸出端子處產(chǎn)生振蕩頻率的設(shè)備.設(shè)備包括:用于通過驅(qū)動(dòng)在輸出端子之間耦合的參考石英晶體諧振器而產(chǎn)生振蕩頻率的裝置;以及用于生成在低頻的低阻抗負(fù)載和在高頻的高阻抗負(fù)載的裝置,其中用于生成的裝置耦合至用于產(chǎn)生的裝置.

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉可以各種形式實(shí)施結(jié)合在此所公開實(shí)施例而描述的各種示意性方框和模塊.已經(jīng)通常根據(jù)它們的功能而以上描述了一些方框和模塊.如何實(shí)施該功能取決于對(duì)整個(gè)系統(tǒng)提出的設(shè)計(jì)約束.本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)于每個(gè)特定應(yīng)用以變化的方式實(shí)施所述功能,但是一些實(shí)施方式的決定不應(yīng)解釋為使得脫離本發(fā)明的范圍.此外,在模塊,組塊或步驟內(nèi)的功能的分組是為了便于描述說明.具體的功能或步驟可以從一個(gè)模塊或組塊移動(dòng)而并未脫離本發(fā)明的范圍.
結(jié)合在此所公開實(shí)施例描述的各個(gè)示意性邏輯組塊,單元,步驟,部件和模塊可以采用處理器實(shí)施或執(zhí)行,諸如通用處理器,石英晶振,數(shù)字信號(hào)處理器(DSP),專用集成電路(ASIC),現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA),或設(shè)計(jì)用于執(zhí)行在此所述功能的其他可編程邏輯器件,離散的門或晶體管邏輯,離散的硬件部件,或者其任意組合.通用處理器可以是微處理器,但是在備選例中,處理器可以是任何處理器,控制器,微控制器,或狀態(tài)機(jī).處理器也可以實(shí)施作為計(jì)算裝置的組合,例如,DSP和微處理器的組合,多個(gè)微處理器,一個(gè)或多個(gè)微處理器結(jié)合DSP內(nèi)核,或者任何其他這種配置.進(jìn)一步,可以使用各種晶體管類型,邏輯系列,和設(shè)計(jì)方法學(xué)實(shí)現(xiàn)在此所述的實(shí)施了實(shí)施例的電路以及功能組塊和模塊.

提供所公開實(shí)施例的以上說明以使得本領(lǐng)域任何技術(shù)人員能夠制造或使用本發(fā)明.對(duì)這些實(shí)施例的各種修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是易于明顯的,并且在此所述的普遍原理可以適用于其他實(shí)施例而并未脫離本發(fā)明的精神或范圍.因此,應(yīng)該理解的是在此所展示的說明書和附圖展示了本發(fā)明的當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例并且因此代表了由本發(fā)明廣泛設(shè)計(jì)的主題.應(yīng)該進(jìn)一步理解的是本發(fā)明的阿范圍完全包括對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員可以變得明顯的其他實(shí)施例,并且因此由除了所附權(quán)利要求之外任何其他事物無法限定本發(fā)明的范圍.
一種差分貼片晶振電路,包括:第一輸出端子和第二輸出端子;包括交叉耦合至第一輸出端子和第二輸出端子的第一和第二晶體管的交叉耦合的振蕩單元;第一和第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)二極管,每個(gè)MOSFET二極管包括連接在柵極和漏極端子之間的電阻器,其中第一MOSFET二極管耦合至第一晶體管以向第一晶體管提供在低頻時(shí)低阻抗負(fù)載和在高頻時(shí)高阻抗負(fù)載,其中第二MOSFET二極管耦合至第二晶體管以向第二晶體管提供在低頻時(shí)低阻抗負(fù)載和在高頻時(shí)高阻抗負(fù)載;以及耦合在第一輸出端子和第二輸出端子之間以建立振蕩頻率的參考諧振器.

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差分貼片晶振電路的輸出端子處產(chǎn)生的振蕩頻率

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