常見(jiàn)問(wèn)題

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低ESR50兆赫晶振優(yōu)化性... 隨著最近更精確的封裝制造技術(shù),將晶體和有源電路管芯包含在同一封裝中已經(jīng)變得可行.對(duì)于...

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首頁(yè)進(jìn)口晶振進(jìn)口振蕩器5021CG/CE,TG-5031CJ貼片晶振,有源3.3V晶振

進(jìn)口振蕩器5021CG/CE,TG-5031CJ貼片晶振,有源3.3V晶振

產(chǎn)品型號(hào)：55886293
頻率：13.000~52.000MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
產(chǎn)品介紹：被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

進(jìn)口振蕩器5021CG/CE,TG-5031CJ貼片晶振,有源3.3V晶振溫補(bǔ)晶振（TCXO）產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì).

項(xiàng)目	記號(hào)	5021CG/CE	條件
頻率	f_nom	13.000~52.000MHZ
電壓	Vcc	1.8V 3.3V
頂點(diǎn)溫度	Ti	+25±5°C
二級(jí)溫度系數(shù)	B	(−3.5±1.0)x10−8/°C2
負(fù)載容量	CL	7.0pF/9.0pF/12.5pF
串聯(lián)電阻	R1	65kÙ 最大值
絕對(duì)最大激勵(lì)等級(jí)	DLmax.	1μW
推薦激勵(lì)等級(jí)	DL	0.1μW
并聯(lián)電容	C0	0.8pF 典型值
頻率老化程度	f_age	±3x10-6	+25±3°C，第一年
工作溫度范圍	T_use	-20°C～+70°C
保存溫度范圍	T_stg	-55°C～+125°C	單件保管一年

自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保晶體產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等.
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng):
陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
（1）在焊接陶瓷封裝產(chǎn)品和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開(kāi)裂）.尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法.
陶瓷包裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.
（2）陶瓷封裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.

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