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      鴻星振蕩器,HXO-3,HXO-Q3 7050mm石英晶體,臺灣進口晶振

    • 產品型號:65188497
    • 頻率:1~133MHZ
    • 尺寸:7.0*5.0*1.5mm
    • 產品介紹:臺灣鴻星公司主要生產產品為全系列石英晶體振盪子即:石英晶體諧振器,(DIP晶體 SMD 晶體),石英晶體振盪器 (SMDOSCILLATOR) 和石英晶體控制振盪器 (SMD晶振 VCXO壓...
    • RoHS RoHS2

            鴻星振蕩器,HXO-3,HXO-Q3 7050mm石英晶體,臺灣進口晶振.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

    鴻星振蕩器說明 HXO-3貼片晶振規(guī)格
    頻率范圍 1~133MHZ
    頻率穩(wěn)定度 A:±100  B:±50   C: ±30  D: ±25
    輸出電平 CMOS
    工作溫度 -10℃~+60℃,-20℃~+70℃,或客戶要求
    保存溫度 -40℃~+85℃
    負載電容 15pF
    輸出對稱 40% ~ 60% or 45% ~ 55%(at 55%V DC)
    電壓 5.0V,3.3V, 2.8V,1.8V




           晶體頻率與負載電容的變化要求:請測量使用示波器或頻率計數(shù)器晶體的兩個端子的信號,如果頻率不在規(guī)定范圍內,它的輸出波形的幅度是不夠的(例如超過+/-200ppm的).The formula for Capacitances versus Frequency is as following:該公式的電容與頻率是如下: FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where該曲線代表電容變化與頻率變化(頻率pullability)變化的變化:

            如果由頻率計數(shù)器測量的頻率比目標頻率高,要增加電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標頻率,反之亦然.請檢查波形幅度是否改善或沒有經過我們調整頻率.如果它的改善,這表示該電路的原始設計不是調諧到最佳共振點為晶體的情況.該晶體應正常后,諧振點的調整.如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率,我們可以通過以下方法改進:
    方法1:降低產品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過晶體具有較低負載電容(CL).
    方法2:采用小電阻(RR)的晶體.
    方法3:使用鎘和CG的不等價的設計.
    我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本,保證安全.請用頻率計數(shù)器來測量所述晶體,以確保經調整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進.如果頻率不符合規(guī)格,請采用晶體合適的CL值為根據您的目標頻率.請采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會偏差很大.

           鴻星晶體科技本于‘善盡企業(yè)責任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內環(huán)保、勞安法令要求,同時也能達到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標準.
           2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗證,秉持“污染預防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項排放檢測數(shù)據符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質與國際大廠對于綠色生產及綠色產品的要求相符,于2004年通過SONY  綠色伙伴(Green Partner)驗證.
           勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國及企業(yè)關注焦點,如何做到‘降低職業(yè)災害發(fā)生、確保工作場所安全、實施員工健康管理’一直是鴻星晶體努力的方向,公司于2008年12月通過OHSAS18001職業(yè)安全衛(wèi)生管理系統(tǒng)驗證,提供勞工符合系統(tǒng)要求的安全衛(wèi)生工作環(huán)境. 

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