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首頁新聞中心 Vishay晶振為您講解當今的微型振蕩器封裝可最大限度地減少微音

Vishay晶振為您講解當今的微型振蕩器封裝可最大限度地減少微音

來源：http://www.fengxong.cn 作者：康比電子 2022年05月21
>1MHz的晶體通常是AT切割晶體。這些設備可以承受很寬的驅動電平范圍。在達到毫瓦驅動水平之前不會發(fā)生斷裂。額外的老化可能發(fā)生在更高的µW驅動范圍。過度驅動晶體會激發(fā)不需要的振動模式。這些可能導致在不同的狹窄溫度范圍內出現(xiàn)嚴重的頻率跳躍。
7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
頻率溫度特性
晶體的頻率響應由晶體穿過石英晶體的原子平面的切割決定。這導致穩(wěn)定和可重復的溫度響應。該圖顯示了AT切割晶體的不同切割的頻率溫度響應。每條曲線有2分鐘的弧度不同。
7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
指定晶體和來料檢驗晶體具有許多參數(shù)，應指定這些參數(shù)以確保收到滿足最終應用要求的設備。
頻率/校準，設定點為25°C/CLOAD/穩(wěn)定性、頻率與溫度的關系（以25°C為基準）/工作溫度范圍/Cl的最大ESR，石英晶體諧振器電阻/C0范圍，引腳間電容/LMOTIONAL或CMOTIONAL，設置晶體的可拉性/駕駛水平/頻率和電阻的驅動電平相關性(DLD)/老化/絕緣電阻
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
還有其他規(guī)格，例如每°C的最大允許頻率變化，或平滑曲線的最大允許響應（擾動控制）。進貨檢驗或測試需要專門的設備：晶體阻抗計（CIMeter）/帶有特殊測試夾具和軟件的網(wǎng)絡分析儀
CLOAD溫度系數(shù)可以將這種響應改變很多分鐘。CLOAD值和電容器對于振蕩器滿足所需特性至關重要。放大器的CSTRAY和放大器相移隨溫度的變化都會影響頻率溫度特性。
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
使用振蕩器的設計注意事項:2.1振蕩器安裝了未完成的晶體，并且在過程的最后部分，晶體在室溫下校準其頻率。2.2晶體與振蕩器電路的溫度系數(shù)相匹配。改變晶角或切割以抵消振蕩器電路的溫度系數(shù)。2.3通向晶體的引線通常被密封在密封晶體封裝中，以盡量減少最終用途改變振蕩器性能的任何機會。使用示波器、頻率計數(shù)器和電源可以輕松測試或驗證振蕩器的性能。
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
在數(shù)據(jù)表中指定。 振蕩器設計的一部分。
振蕩器封裝通?？梢员Ｗo器件免受系統(tǒng)噪聲注入。
最終用戶必須通過電源引線旁路提供無噪聲電源信號。
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm

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